激光直寫是利用強(qiáng)度可變的激光束對(duì)基片表面的抗腐蝕材料實(shí)施變劑量曝光，顯影后在抗腐蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓，激光直寫系統(tǒng)的基本工作原理是由計(jì)算機(jī)控制高精度激光束掃描，在光刻膠上直接曝光寫出所設(shè)計(jì)的任意圖形，從而把設(shè)計(jì)圖形直接轉(zhuǎn)移到掩模上。

激光直寫系統(tǒng)基本原理結(jié)構(gòu)

激光直寫系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，主要由He-Cd激光器、聲光調(diào)制器、投影光刻物鏡、CCD攝像機(jī)、顯示器、照明光源、工作臺(tái)、調(diào)焦裝置、He-Ne激光干涉儀和控制計(jì)算機(jī)等部分構(gòu)成。

圖1 激光直寫系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖

激光直寫的基本工作流程是：用計(jì)算機(jī)產(chǎn)生設(shè)計(jì)的微光學(xué)元件或待制作的VLSI掩模結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)；將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成直寫系統(tǒng)控制數(shù)據(jù)，由計(jì)算機(jī)控制高精度激光束在光刻膠上直接掃描曝光；經(jīng)顯影和刻蝕將設(shè)計(jì)圖形傳遞到基片上。

激光直寫系統(tǒng)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題

機(jī)械誤差：光刻過程是指放置在電動(dòng)平臺(tái)上的光刻膠基片隨著電動(dòng)平臺(tái)的轉(zhuǎn)動(dòng)和平移，由聲光調(diào)制器控制光束的強(qiáng)弱對(duì)光刻膠進(jìn)行變劑量曝光，通常電動(dòng)平臺(tái)的定位精度達(dá)到微米或亞微米量級(jí)。然而由于慣性、靜摩擦、松動(dòng)等所造成的電動(dòng)平臺(tái)螺距誤差與偏移，將直接影響著系統(tǒng)的性能和光刻元件的質(zhì)量。如何提升實(shí)現(xiàn)平臺(tái)的高精度定位是激光直寫技術(shù)中需要考慮的問題。

芯明天壓電納米定位平臺(tái)采用柔性鉸鏈機(jī)構(gòu)，鉸鏈機(jī)構(gòu)基于固體的彈性變形，無滾動(dòng)和滑動(dòng)部分，具有零摩擦、高精度的特點(diǎn)，并且具有很高的剛度和承載能力。更重要的是，芯明天壓電納米定位臺(tái)的定位精度可達(dá)納米級(jí)甚至亞納米級(jí)。

芯明天壓電納米定位平臺(tái)以其納米級(jí)的精度、穩(wěn)定的性能、便捷的操控成為掃描運(yùn)動(dòng)平臺(tái)的理想選擇。

芯明天壓電掃描臺(tái)簡(jiǎn)介

P12A系列壓電掃描臺(tái)

運(yùn)動(dòng)自由度：XYZ

行程：100μm/軸

分辨率：7/4nm

中心通孔：45×45mm

承載能力：0.5kg

P15系列壓電掃描臺(tái)

運(yùn)動(dòng)自由度：XYZ

行程：300μm/軸

分辨率：13/6nm

中心通孔：66×66mm

承載能力：0.5kg

P17.XY200系列壓電掃描臺(tái)

運(yùn)動(dòng)自由度：XY

行程：187.5μm/軸

分辨率：8/5nm

中心通孔：60×60mm

承載能力：1kg

P78.Z200/300系列壓電掃描臺(tái)

運(yùn)動(dòng)自由度：Z

行程：187.5μm/262.5μm

分辨率：7/3nm

中心通孔：64×64mm

承載能力：1kg

為了壓電納米定位臺(tái)與您系統(tǒng)間更好的融合，芯明天公司提供定制服務(wù)，可按客戶應(yīng)用的系統(tǒng)進(jìn)行量身定制。